STPSC10H12B-TR1技术参数详情：
STPSC10H12B-TR1是意法半导体基于碳化硅技术开发的一款1200V、10A肖特基势垒二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件的核心优势在于其作为多数载流子器件，实现了本质上的零反向恢复时间与零反向恢复电荷，彻底消除了传统硅基快恢复二极管关断时产生的开关损耗和电流振荡。
其电气参数表现优异，在10A额定电流下正向压降仅为1.5V，同时在1200V高压下的反向漏电流极低。这些特性使其特别适用于高频、高效的硬开关功率转换电路，能够显著提升系统效率与功率密度，并简化散热设计。
- 型号:STPSC10H12B-TR1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io):10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 1200 V
- 不同Vr、F 时电容:725pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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