LET9060STR技术参数详情：
LET9060STR是ST意法半导体生产的一款射频LDMOS功率晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件专为高频高功率应用设计，在960MHz频率下可提供高达60W的射频输出功率和17.2dB的功率增益，显著提升了发射链路的效率和驱动能力。
其核心优势在于80V的高额定电压和12A的额定电流，确保了在28V工作电压下拥有充足的功率处理余量和可靠性。裸露底部焊盘的封装设计优化了散热性能，使其能够稳定应对高功率耗散。这款晶体管主要面向专业通信基础设施，如基站和专用移动无线电系统等需要高性能功率放大的场景。
- 型号:LET9060STR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:960MHz
- 增益:17.2dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:60W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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