STU7N80K5技术参数详情：
STU7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心额定参数包括800V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下6A的连续漏极电流（Id）能力。
该MOSFET的关键优势在于其优化的动态与静态性能。它实现了低至1.2欧姆的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均保持在较低水平，这有助于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。器件采用I-PAK通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类应用环境下的鲁棒性和长寿命。
- 型号:STU7N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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