STPSC6H12B-TR1技术参数详情：
STPSC6H12B-TR1是ST意法半导体基于碳化硅技术开发的一款1200V、6A肖特基势垒二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件的核心优势在于其作为多数载流子器件，实现了零反向恢复时间（0ns），彻底消除了传统硅二极管关断时的反向恢复损耗和电流振荡。
其技术参数针对高效能应用进行了优化，在6A正向电流下典型正向压降为1.9V，在1200V反向电压下漏电流低至400A。这些特性使其能够在高频硬开关电路中显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统效率与功率密度，是先进电源和能源转换系统的理想选择。
- 型号:STPSC6H12B-TR1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io):6A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 6 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400 A @ 1200 V
- 不同Vr、F 时电容:330pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 现在可以订购STPSC6H12B-TR1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
