STQ1NC45R-AP技术参数详情：
STQ1NC45R-AP是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-92-3封装。该器件核心优势在于其450V的高漏源电压与4.5欧姆的低导通电阻的出色组合，能够在高压应用中有效降低导通损耗，提升效率。
其动态特性同样优异，极低的栅极电荷（7nC）和输入电容（160pF）确保了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。宽泛的工作温度范围（-65°C至150°C）和3.1W的功率耗散能力，使其成为要求高可靠性的中低功率开关电源和功率控制应用的理想选择。
- 型号:STQ1NC45R-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:450 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.1W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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