STR2N2VH5技术参数详情：
STR2N2VH5是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，属于其高性能STripFET V产品系列。该器件额定漏源电压为20V，连续漏极电流可达2.3A，核心优势在于其极低的导通电阻，在4.5V栅极电压下典型值仅为30毫欧，能有效降低导通损耗。
其开关特性经过优化，具有低至4.6nC的栅极电荷和700mV的最大栅极阈值电压，确保了快速开关能力和易于驱动的特性，非常适合高频开关电源应用。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供可靠的性能与广泛的适用性。
- 型号:STR2N2VH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:367 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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