STS01DTP06技术参数详情：
STS01DTP06是ST意法半导体生产的一款双极性晶体管阵列，集成NPN和PNP晶体管于8-SOIC封装内。该器件核心参数包括30V集射极击穿电压和3A集电极电流，支持中功率处理需求。
其技术亮点在于优异的饱和特性，Vce饱和压降最大仅700mV（@2A, 100mA），配合最小100的直流电流增益（@1A, 2V），确保了高效的低压降开关与放大性能。器件最大功耗2W，结温工作范围达150°C，具备良好的热可靠性，适用于紧凑的板级设计。
- 型号:STS01DTP06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS NPN/PNP 30V 3A 8-SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:1 NPN，1 PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:700mV @ 100mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1A，2V
- 功率 - 最大值:2W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 现在可以订购STS01DTP06，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
