STS10DN3LH5技术参数详情：
STS10DN3LH5是ST意法半导体推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，属于其高性能STripFET V系列。该器件采用8-SOIC封装，集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，每个通道具备30V的漏源电压和10A的连续电流处理能力。
其核心优势在于极低的功率损耗，典型导通电阻低至21毫欧（@5A,10V），同时栅极电荷最大值仅为4.6nC，确保了高效率与快速的开关性能。1V的最大栅极阈值电压使其可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计。这些特性使其成为空间受限且要求高效率的电源管理、电机驱动和负载开关应用的理想选择。
- 型号:STS10DN3LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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