STP360N4F6技术参数详情：
STP360N4F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高电流、高效率应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下典型值仅为1.8毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统整体能效。
该器件额定漏源电压为40V，在壳温条件下连续漏极电流可达120A，最大功率耗散为300W，具备强大的功率处理能力。同时，其栅极电荷较低（最大340nC @ 10V），有利于实现快速的开关切换并减少开关损耗。器件符合AEC-Q101汽车级标准，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在汽车电子等严苛环境下的高可靠性和稳定性。
- 型号:STP360N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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