STS10N3LH5技术参数详情：
STS10N3LH5是ST意法半导体推出的一款采用STripFET V技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为8-SO。该器件核心优势在于其优异的导通与开关特性平衡，在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为21毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至4.6nC，这共同确保了低传导损耗和高频开关性能。
其电气规格包括30V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其成为空间受限的中低压、中电流功率开关应用的理想选择，如高效率DC-DC转换、电机驱动及电池保护电路等。
- 型号:STS10N3LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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