STS12N3LLH5

STS12N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET V产品系列。该器件采用表面贴装型8-SO封装，核心规格包括30V的漏源电压（Vdss）与12A（Tc）的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势突出体现在极低的导通损耗与优异的开关特性上。在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至7.5毫欧（@6A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为8nC（@4.5V）。这种低Rds(on)与低Qg的优化组合，确保了在高频开关电路中既能实现高效率的功率传输，又能保持快速的动态响应，有效降低系统整体功耗与热设计难度。

• 型号:STS12N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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