STS14N3LLH5技术参数详情：
STS14N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心优势在于其卓越的导通与开关性能平衡。
其关键参数包括30V的漏源电压（Vdss）与14A（Tc）的连续漏极电流能力，确保了在低压大电流应用中的可靠性。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs和7A Id条件下，Rds(on)最大值仅为6毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，12nC（@4.5V）的低栅极电荷（Qg）有利于实现高速开关，提升系统频率与整体能效。
综合来看，该器件专为要求高效率和高功率密度的应用而优化，如DC-DC转换器、电机驱动及各类负载开关，其宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）也满足了工业环境的稳健性需求。
- 型号:STS14N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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