STS25NH3LL技术参数详情：
STS25NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为8-SO。该器件核心优势在于其优异的低损耗特性，其漏源电压（Vdss）为30V，在25°C壳温下可支持高达25A的连续漏极电流。
其关键技术参数定义了出色的性能表现：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值低至3.5毫欧（@12.5A），显著降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC（@4.5V），有利于实现高速开关并降低驱动损耗。器件工作结温范围宽广，从-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:STS25NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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