STS3C2F100技术参数详情：
STS3C2F100是ST意法半导体推出的一款集成N沟道与P沟道MOSFET的阵列芯片，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件基于STripFET技术，专为逻辑电平驱动设计，其N和P沟道MOSFET均具备100V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其核心电气参数表现出色，导通电阻（RDS(on)）低至145毫欧（@1.5A, 10V），有效降低了导通损耗。同时，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2V，可直接由低压微控制器驱动；栅极电荷（Qg）最大值为20nC，确保了快速的开关性能。这些特性使其成为空间受限且要求高效互补开关应用的理想选择，适用于DC-DC转换、电机驱动及各类电源管理电路。
- 型号:STS3C2F100
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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