STW56N60M2-4

STW56N60M2-4是ST意法半导体基于MDmesh M2技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4L封装。该器件核心优势在于其600V/52A的高压大电流处理能力，结合低至55毫欧的导通电阻（R_DS(on)）与仅91nC的栅极电荷（Q_G），实现了开关损耗与传导损耗的卓越平衡，显著提升电源效率。

其四引脚设计提供了独立的开尔文源极，有效优化了开关性能，减少振荡。高达150°C的结温与350W的功率耗散能力确保了其在工业级应用中的高温可靠性。该MOSFET是构建高效、高功率密度开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及电机驱动等系统的理想选择。

• 型号:STW56N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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