STS7NF60L

STS7NF60L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用表面贴装型8-SO封装，核心额定参数为60V漏源电压（Vdss）与7.5A连续漏极电流（Id），具备出色的功率处理能力。

其技术优势体现在优异的开关性能上：在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至19.5毫欧，有效降低了导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度与较低的驱动损耗。器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) ≤ 1V），便于与微控制器直接接口，且最高工作结温达150°C，可靠性高。

综合来看，STS7NF60L在效率、功率密度和易用性之间取得了良好平衡，是设计高效DC-DC转换、电机驱动及电源管理应用的理想功率开关选择。

• 型号:STS7NF60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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