STS7PF30L技术参数详情：
STS7PF30L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss)与7A的连续漏极电流(Id)处理能力，在10V Vgs下导通电阻(Rds(on))最大值低至21毫欧，有效降低了导通损耗。
该器件具备优异的开关性能，最大栅极电荷(Qg)仅为38nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。其2.5V的最大栅极阈值电压(Vgs(th))便于逻辑电平直接驱动。这些特性使其成为空间受限、追求高效率的电源管理应用的理想选择，如DC-DC转换、负载开关和电池保护电路等。
- 型号:STS7PF30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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