STS8C5H30L技术参数详情：
STS8C5H30L是ST意法半导体推出的一款集成N沟道与P沟道MOSFET的阵列产品，隶属于高性能STripFET III系列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，核心优势在于其针对开关应用优化的电气参数组合。
其N沟道与P沟道元件分别提供8A和5.4A的连续漏极电流能力，并具备30V的漏源电压额定值。关键特性包括极低的导通电阻（典型值22mΩ @ 4A, 10V）以及极低的栅极电荷（最大值10nC @ 5V），这共同确保了在导通和开关过程中均具有卓越的能效表现。此外，其逻辑电平门驱动（最大Vgs(th)为1V）使其可直接由低压微控制器驱动，简化了系统设计。
这些特性使其成为空间和效率敏感型应用的理想解决方案，例如同步整流DC-DC转换器、电机驱动桥路以及便携设备的功率开关电路。
- 型号:STS8C5H30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，5.4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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