STS8DNH3LL

STS8DNH3LL是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的表面贴装双N沟道功率MOSFET阵列，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件集成了两个逻辑电平门控的MOSFET通道，每通道在25°C下可支持高达8A的连续漏极电流，漏源电压额定值为30V，适用于中低电压范围的功率控制应用。

其核心优势在于优异的开关性能与导通特性。器件具备极低的导通电阻（典型22mΩ @ 10V, 4A）和栅极阈值电压（最大1V），确保了高效的电能转换以及与低压控制信号的直接兼容性。同时，较低的栅极电荷和输入电容参数有助于实现快速的开关瞬态响应，减少开关损耗。尽管该型号已停产，但其紧凑的双通道设计和高可靠性，使其曾是电源管理、电机驱动和负载开关等应用的经典选择之一。

• 型号:STS8DNH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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