STT3P2UH7技术参数详情：
STT3P2UH7是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于低压、高电流开关应用，其核心优势在于极低的功率损耗。
它提供20V的漏源电压（Vdss）额定值和高达3A的连续漏极电流（Id）能力。关键性能参数包括：在4.5V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为100毫欧（@1.5A），这确保了高效的功率传输；同时，其最大栅极电荷（Qg）低至4.8nC（@4.5V），有利于实现高速开关并降低驱动损耗。其1.8V的最低驱动电压使其能直接由现代低压微控制器或逻辑电路驱动。
- 型号:STT3P2UH7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6
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