STU2N62K3

STU2N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（V_DSS）额定值，以及仅为3.6Ω（@10V，1.1A）的低导通电阻（R_DS(on)），这有效降低了导通状态下的功率损耗。

此外，其栅极电荷（Q_G）最大值低至15nC，结合340pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。在25°C壳温下，其连续漏极电流（I_D）为2.2A，最大结温达150°C，功耗45W，提供了良好的电流处理能力与热性能。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及LED驱动等中功率、高效率应用的可靠选择。

• 型号:STU2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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