STW38N65M5-4技术参数详情：
STW38N65M5-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M5产品系列。该器件采用TO-247-4L封装，额定漏源电压为650V，在25°C壳温下可承载高达30A的连续电流，适用于高功率应用场景。
其技术核心在于实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为95毫欧（@15A），有效降低了功率耗散。同时，较低的栅极电荷（最大值71nC @10V）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统效率和工作频率。额外的开尔文源极引脚设计，进一步优化了高速开关性能，增强了系统可靠性。
- 型号:STW38N65M5-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
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