STU3N80K5技术参数详情：
STU3N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为系统提供了强大的电压处理能力和电流承载能力。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.5欧姆（@1A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值9.5nC）确保了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升系统效率。器件采用I-PAK通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合要求高可靠性的工业及消费类功率电子设计。
- 型号:STU3N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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