STU65N3LLH5

STU65N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用通孔I-PAK封装，核心优势在于其优异的电流承载与导通特性，其连续漏极电流（Id）高达65A（Tc），同时在10V Vgs条件下导通电阻（Rds(on)）最大值低至7.3毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。

此外，器件具备低至8nC的栅极电荷（Qg）和30V的漏源电压（Vdss），确保了快速高效的开关性能，适用于高频开关场景。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，提供了良好的环境适应性。这些参数共同使其成为同步整流、电机驱动和低压大电流电源管理等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STU65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 65A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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