VNS3NV04DPTR-E技术参数详情：
VNS3NV04DPTR-E是ST意法半导体推出的一款双通道低端智能功率开关，隶属于OMNIFET II系列并采用VIPower技术。该器件集成了两个独立的N通道功率MOSFET，每个通道可提供高达3.5A的连续输出电流，并具备仅120毫欧的典型导通电阻，能有效降低导通损耗。
其设计无需外部供电电压（Vcc/Vdd），简化了电路。器件支持最大36V的负载电压，并通过非反相的开/关逻辑接口进行控制，易于集成。内置的固定限流、过温关断和过压钳位等多重保护功能，确保了驱动器和负载在苛刻环境下的安全与可靠性，工作结温范围覆盖-40°C至150°C。
- 型号:VNS3NV04DPTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:3.5A
- 导通电阻（典型值）:120 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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