STU6N65M2-S技术参数详情：
STU6N65M2-S是ST意法半导体基于MDmesh M2技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）与低导通电阻（1.35Ω @ 10V, 2A）及低栅极电荷（9.8nC @ 10V）的优异结合，旨在显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统效率。
其4A的连续漏极电流（Tc）承载能力、60W（Tc）的功率耗散以及-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。采用通孔I-PAK封装，便于安装与散热。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）、LED驱动和电机控制等高压、高效率应用中的高性能开关解决方案。
- 制造商产品型号：STU6N65M2-S
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M2
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.35 欧姆 @ 2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：226pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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