STU6N95K5

STU6N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术平台。该器件设计用于提供出色的高压开关性能，其核心优势在于高达950V的漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻（Rds(on)）特性，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET在10V栅极驱动下具备优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。其额定连续漏极电流（Id）为9A（Tc），最大功耗达90W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。采用通孔I-PAK封装，便于功率散热设计，是工业电源、照明驱动和电机控制等高压应用的理想选择。

• 型号:STU6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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