STU95N2LH5

STU95N2LH5是意法半导体推出的STripFET V系列N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS和40A条件下最大值仅为4.9mΩ，配合高达80A的连续漏极电流能力，能够显著降低大电流应用中的导通损耗。

其电气参数针对高效开关进行了优化，包括低栅极电荷（13.4nC @5V）和适中的栅极阈值电压，这有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件额定漏源电压为25V，适用于低压、高电流的功率转换和开关路径，如同步整流、DC-DC转换器和电机控制等场景。

• 型号:STU95N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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