STW13NB60

STW13NB60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）低至540毫欧，结合82nC的栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗与快速开关速度的良好平衡。这些特性使其特别适用于提升开关电源、电机驱动及UPS等系统的整体能效与功率密度。

• 型号:STW13NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:540 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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