STW150NF55

STW150NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其55V/120A的电压电流规格下，实现了极低的导通电阻（典型值6mΩ @10V, 60A），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升能效。

此外，其栅极电荷（Qg）被优化至190nC（最大值），有助于减少开关损耗并允许更高的开关频率运行。结合300W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至175°C的宽工作结温范围，使其成为要求高可靠性、高效率的功率开关应用的理想选择，例如大电流DC-DC转换和电机驱动领域。

• 型号:STW150NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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