STW18N65M5

STW18N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于结合了650V的高漏源电压（Vdss）与15A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

该器件隶属于MDmesh V产品系列，其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为220毫欧，栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率并允许更高的开关频率。其150°C的最高结温和110W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STW18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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