STW18NK80Z技术参数详情：
STW18NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和19A连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的耐压和电流处理基础。
其技术优势体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为380毫欧，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率和工作频率。器件支持高达350W的功率耗散，并具备宽泛的工作温度范围，满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:STW18NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:250 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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