STW200NF03

STW200NF03是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于高性能的STripFET II产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流承载能力，在10V栅极驱动下，R_DS(on)最大值仅为2.8毫欧（@60A），连续漏极电流（I_D）高达120A（T_C），能显著降低导通损耗，提升功率转换效率。

该器件设计用于30V的漏源电压环境，其栅极电荷（Q_g）典型值为280nC，有助于实现快速的开关速度，优化高频开关性能。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与高达350W（T_C）的功率耗散能力，确保了其在高温、高功率应用场景下的可靠性与稳定性。

• 型号:STW200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:280 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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