STW20N95DK5

STW20N95DK5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DK5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性包括950V的高漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为330毫欧（@9A），有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值50.7nC @10V）和输入电容（Ciss），确保了快速、高效的开关动作，从而降低整体开关损耗，提升系统能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变等中高功率密度设计的理想选择。

• 型号:STW20N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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