STW25N95K3技术参数详情：
STW25N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性包括950V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），具备强大的耐压与载流能力。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、11A电流条件下最大值仅为360毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（105nC @10V）有助于实现快速的开关切换。这些特性使其成为要求严苛的工业电源、电机驱动及大功率转换应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STW25N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 22A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3680 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:400W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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