STL4LN80K5技术参数详情：
STL4LN80K5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat VHV封装的N沟道高压功率MOSFET。该器件隶属于先进的MDmesh K5产品系列，其核心特性包括高达800V的漏源电压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
得益于MDmesh K5技术，该器件在10V栅极驱动下实现了优异的导通电阻（RDS(on)）性能，同时具备极低的栅极电荷和输入电容。这些参数共同优化了开关性能，降低了开关损耗和驱动需求。其紧凑的表面贴装封装结合38W的功率耗散能力，有效支持了高功率密度设计。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STL4LN80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）VHV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:110 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 现在可以订购STL4LN80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
