STW27N60M2-EP技术参数详情：
STW27N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），专为高压、高功率应用设计。
其技术优势主要体现在优化的动态与静态特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至163毫欧（@10A），有效降低了导通损耗。同时，最大33nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统工作效率并降低电磁干扰。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的开关电源与功率转换系统的理想选择。
- 型号:STW27N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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