STW28N60DM2技术参数详情：
STW28N60DM2是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心卖点在于其600V/21A的额定值，结合低至160毫欧（典型值）的导通电阻，为高压大电流应用提供了优异的传导性能。
其技术优势还包括优化的开关特性，如最大34nC的栅极电荷和1500pF的输入电容，这有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和170W的功率耗散能力，确保了其在工业电源、电机驱动等 demanding 应用环境中的可靠性与鲁棒性。
- 型号:STW28N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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