STW33N60M6技术参数详情：
STW33N60M6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）以及在结温条件下25A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术优势在于MDmesh M6平台带来的卓越开关特性与导通性能的优化组合。这种设计旨在显著降低导通和开关损耗，从而提升电源转换系统的整体效率与功率密度，满足现代电力电子设计对能效和可靠性的严格要求。
- 型号:STW33N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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