STW37N60DM2AG技术参数详情：
STW37N60DM2AG是意法半导体基于MDmesh DM2技术开发的N沟道功率MOSFET，属于符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压和28A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
其关键技术参数包括在10V栅极驱动下仅110毫欧的最大导通电阻，以及54nC的低栅极电荷。这些特性共同确保了器件兼具低导通损耗与快速的开关性能，有助于提升系统整体效率并允许更高的工作频率。TO-247封装提供了良好的散热路径，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够满足汽车和工业领域对高可靠性与鲁棒性的严苛要求。
- 型号:STW37N60DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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