STW48NM60N

STW48NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心电气参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和44A的连续漏极电流（I_D）。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，典型导通电阻（R_DS(on)）为70mΩ @ 10V，最大栅极电荷（Q_g）为124nC，这有助于显著降低系统的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。器件采用TO-247封装，提供良好的散热能力，最大功率耗散达330W，工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的长期可靠性。

• 型号:STW48NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 44A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:124 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4285 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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