STW56N65DM2

STW56N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）额定值与低至65mΩ的导通电阻（Rds(on)）的卓越组合，这得益于先进的超级结技术，旨在最小化传导损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括48A的高连续漏极电流承载能力、仅88nC的低栅极电荷（Qg）以及高达360W的功率耗散能力。这些特性共同确保了器件在高压、大电流工况下，既能实现快速开关以降低动态损耗，又能保持出色的热性能和可靠性。它主要面向工业电源、能源转换及电机控制等要求高效率和鲁棒性的应用领域。

• 型号:STW56N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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