STW58N60DM2AG

STW58N60DM2AG是ST意法半导体推出的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与50A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至60毫欧（@25A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其非常适合高频开关电源和电机驱动电路。

• 型号:STW58N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 50A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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