STD10PF06-1技术参数详情：
STD10PF06-1是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和10A（Tc）的连续漏极电流（Id），适用于中功率开关应用。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V驱动电压、5A电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为200毫欧，能有效降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg最大值21nC）和输入电容有助于实现高效的开关性能。器件结温最高可至175°C，展现了良好的热可靠性。
- 型号:STD10PF06-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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