STW69N65M5-4技术参数详情：
STW69N65M5-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-4L封装，具备650V的漏源电压（Vdss）和58A（Tc）的连续漏极电流能力，为高功率应用提供了坚实的电压和电流裕量。
其核心优势在于卓越的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。额外的开尔文源极引脚设计，有效改善了开关特性，提升了在高频工作中的稳定性和效率。
- 型号:STW69N65M5-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4L
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 29A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:143 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6420 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4L
- 封装/外壳:TO-247-4
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