STW70N60M2-4技术参数详情：
STW70N60M2-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与68A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至40毫欧的导通电阻（Rds(on)），为高压大电流应用提供了优异的导通性能。
其技术参数针对高效率开关应用进行了优化，较低的栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗，提升工作频率。高达450W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这款MOSFET是设计高效、紧凑型电源和电机驱动系统的理想选择。
- 制造商产品型号：STW70N60M2-4
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 68A TO247
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M2
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：68A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 34A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：118nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：450W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247
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