STW75N60M6技术参数详情：
STW75N60M6是ST意法半导体MDmesh M6系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与极低的导通电阻（Rds(on)）相结合，在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为36毫欧（@36A），这显著降低了高压开关应用中的传导损耗。
此外，其优化的动态参数，如最大106nC的栅极电荷（Qg @10V），有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗，提升系统整体效率。该器件在壳温25°C下可支持高达72A的连续漏极电流，最大功耗为446W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性与强健性。
- 型号:STW75N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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