STW75NF20技术参数详情：
STW75NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和高达75A的连续漏极电流（Id），为系统提供了坚实的功率处理基础。
其突出优势在于极低的功率损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为34毫欧 @ 37A，显著降低了传导过程中的能量损失。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值84nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性共同确保了器件在高频、大电流工作条件下的高效率与高可靠性，适用于严苛的工业环境。
- 型号:STW75NF20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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