STW80NE06-10技术参数详情：
STW80NE06-10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力和低至10毫欧（@10V，40A）的导通电阻，这确保了在高电流应用中的低导通损耗和高效率。
该器件具备60V的漏源电压额定值，适用于48V及以下的电源系统。其栅极电荷（Qg）为189nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。结合250W的最大功率耗散能力和175°C的最高工作结温，该MOSFET为高功率密度和高可靠性的电源转换与电机驱动应用提供了坚实的硬件基础。
- 型号:STW80NE06-10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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