STW9N150技术参数详情：
STW9N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括1500V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Tc），为高压大功率应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.5欧姆@4A，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）共同保障了器件在高频开关应用中的高效能与高可靠性，适用于要求苛刻的工业电源与能源转换系统。
- 型号:STW9N150
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3255 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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